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空调与净化的新概念 9 Q, M5 J; j+ S. Y' q- D
一、负离子 , l% S g! |6 C6 `; [2 F
负离子能杀死无用的植物细胞以促进代谢,并参与糖的合成;失去平衡时也伤害植物。带电粉尘容易清除,也容易污染墙壁 4 D3 L0 @7 ?+ _ K# }; g* C
二、臭氧消毒
% x) s& ^ k) ], M低空臭氧是毒气,它直接伤害动植物。臭氧是强氧化剂,可以杀菌,可以降解有机污染物。臭氧消毒无残留物。
* S9 c# m: a! N用电晕法或介质阻挡放电法制造臭氧很容易,成本也低。
/ }5 Q+ L$ {. c三、等离子体空调
# ~7 }+ L+ a$ I/ \9 x单独的正、负离子可以净化空气,两者加在一起的净化效果可能比单一的离子更好。
# b/ f: ~$ A0 z0 p1 m真正的等离子体是物质全部电离的一个态(固、液、气之外的第四态)。低温等离子体是电子运动剧烈(数万℃),而其他离子接近室温的等离子状态。 " B& @6 ?& m, E2 e
四、光催化(光触媒)
3 V8 g7 O( y$ G+ ^4 b8 M9 J某些纳米尺度的半导体粉末,受紫外光(一般采用的波长为380nm左右)照射说,原子的外层电子(价带电子)跃迁到导带,价带缺了电子产生具有强氧化能力的正电子空穴,而导带出现了具有强还原能力的电子,形成具有高能量的“电子-正电空穴对”,他们与周围的氧气、水等反应,生产具有强氧化性的超氧O2-和自由基OH,他们可以与碳氢化合物反应,使其降解,也可以杀死微生物。
Y$ E3 q1 [& v5 H" T常见光催化剂是纳米尺度的、以TiO2为主的锐钛矿型微晶(钛白粉是微米级的,没有光催化作用,用于增白),另一种是金红石型。涂料、洁具和瓷砖表面含有光催化剂,可防霉,并少量降低污染物浓度。塑料制品和家电漆层有光催化剂,有某些净化和杀菌效果。 4 K/ ?. S# g1 L. @
光催化装置用作家用空气净化器,其试验数据多来自对1.2m3小室的测试,目前的净化效率不超过5%。 . L/ g; x, A! E0 O% i& g. f
五、常温催化(冷触媒) $ U% F8 ]1 O+ O6 ~! ]6 o$ Q, P
有些催化剂可以在常温下催化降解甲醛等污染物。另一些可以处理CO、NO等无机污染物。总体上对个别污染物有效,催化效果随污染物浓度的降低而明显下降。
! U; }& v" ~; r1 Y8 O3 k3 C光催化和常温催化等手段均产生负离子。但含放射性物质能产生更多的负离子,将具有放射性的物质粉末掺在涂料中就成了“离子材料”。 $ ~ N7 n! S! z. F
六、纳米空调
1 j" t, E& p* H. q L9 ]2 _7 {空调装置中的光催化、常温催化、金属系抗菌剂等涉及纳米尺度物质的应用,就被商家称为“纳米空调”。 ^3 U" E/ z* f# J* H3 Z$ i
与纳米尺度物质相关的制备、测量和应用技术称为纳米技术。纳米技术中的上下限尺度均是模糊概念,有的尺度定在1~300nm,有的定在1~100nm。 1 r8 L& S8 h( Y' o+ T
七、抗菌材料
; O' F% u' F6 \, y8 v无机抗菌剂一般都是离子型抗菌剂,利用银、锌、铜离子杀菌防臭、降解化学污染物。
% ?% S8 y* a7 j/ k) d有机抗菌剂有日柏醇、壳聚糖、绿芥末精油、山梨酸、胺类、酚类(茶中有酚类的儿茶素可以抗菌)、三嗪类、咪唑类、噻唑类等。 $ K0 `& B: Z: T z/ z
八、溶菌酶 6 K4 T* f3 Y1 y/ S1 S0 Q1 V& Y
可以破坏细菌、真菌、病毒表面的蛋白质并使其死亡的生物酶叫做溶菌酶。 9 S' k$ ~ e, J ?) l
九、驻积体 9 ^/ I0 |$ `6 M/ |2 I8 M
驻积体就是永久带电的电介质材料。带静电的过滤材料主要是聚丙烯(PP)纤维和聚四氟乙烯(PTEE)多孔薄膜,由于带电更容易捕获粉尘。
H( t* D' s$ b带电的东西能杀菌。理论上,驻积体也能产生离子。 ' ]: M+ w) V# \( e: x0 d2 d
十、静电过滤 5 C+ ^0 Z. C, @( t* O+ ^
静电过滤就是利用电极吸附极性相反的颗粒,来达到净化效果。 ' O) i% i. {* E+ {' Z W- t9 H
静电过滤须使用高电压,存在安全隐患,而且容易产生臭氧。 4 J/ m1 F: {. O
十一、普通过滤
8 j7 t A9 W5 {+ S2 v. }! p/ L过滤器阻挡比滤孔大的所有颗粒。只要过滤器上不含有营养物,环境不过于潮湿,微生物就会失去生存条件,至少不会繁衍。 # `: V& b8 v/ m7 O. Z: f
过滤器最难过滤颗粒物的尺寸为0.1~0.3μm。各种抗菌手段都可用于过滤器。 / J" L/ X% s# B7 d0 M1 p
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